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Typical Characteristics (Q2 P-Channel) T J = 25°C unless otherwise noted
10
2.5
V GS = -10V
V GS = -4.5V
V GS = -2.5V
8
6
V GS = -3.5V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
2.0
V GS = -3V
V GS = -3.5V
1.5
4
V GS = -3V
V GS = -4.5V
2
1.0
PULSE DURATION = 80 μ s
V GS = -10V
0
V GS = -2.5V
0.5
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
0
1
2
3
4
5
0
2
4 6
8
10
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 15. On- Region Characteristics
2.0
- I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 16. Normalized on-Resistance vs Drain
Current and Gate Voltage
600
1.8
1.6
I D = -2.8A
V GS = -10V
500
I D = -2.8A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1.4
1.2
400
1.0
300
T J = 125 o C
0.8
200
0.6
0.4
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
100
2
T J = 25 o C
4 6 8
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 17. Normalized On-Resistance
vs Junction Temperature
10
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
10
Figure 18. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
V GS = 0V
8
V DS = -5V
1
6
4
T J = 150 o C
0.1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
2
T J = 25 o C
0.01
T J = -55 o C
T J = -55 o C
0
0.001
1
2
3
4
5
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 19. Transfer Characteristics
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 20. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
FDD3510H Rev.C
7
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